Нелинейни кристали

Методи за отглеждане, включително хоризонтални и вертикални, тези материали (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) се предлагат с определени стандартни размери и ориентации.Някои от които, със свойства на голям нелинеен коефициент и уникални размери, които предоставихме, се използват широко в обикновени SHG, THG и средно инфрачервени системи OPO, OPA и др. Продуктите могат да се доставят със или без държач от анодизиран алуминий.

KTP кристал

Калиев титанилов арсенат (KTiOAsO4) или KTA кристал е отличен нелинеен оптичен кристал за приложение на оптична параметрична осцилация (OPO).Има по-добри нелинейни оптични и електрооптични коефициенти, значително намалена абсорбция в областта 2,0-5,0 µm, широка ъглова и температурна честотна лента, ниски диелектрични константи.
Кристал ZnTe

Цинковият телурид е бинарно химично съединение с формула ZnTe.DIEN TECH произвежда ZnTe кристал с кристална ос <110>, който е идеален материал, приложен за гарантиране на импулс с терагерцова честота чрез нелинеен оптичен процес, наречен оптична ректификация, използвайки светлинен импулс с висок интензитет от субпикосекунда.ZnTe елементите, които DIEN TECH предоставя, са без двойни дефекти.
PPKTP Цистали

Периодично полярен калиев титанил фосфат (PPKTP) е фероелектричен нелинеен кристал с уникална структура, която улеснява ефективно преобразуване на честотата чрез квазифазово съвпадение (QPM).
Кристал HgGa2S4

Високите стойности на прага на лазерно увреждане и ефективността на преобразуване позволяват използването на живачен тиогалат HgGa₂S₄(HGS) нелинейни кристали за удвояване на честотата и OPO/OPA в диапазона на дължината на вълната от 1.0 до 10 µm.Установено е, че ефективността на SHG на CO₂лазерно лъчение за 4 mm дължина HgGa₂S₄елемент е около 10 % (продължителност на импулса 30 ns, плътност на мощността на излъчване 60 MW/cm²).Високата ефективност на преобразуване и широкият диапазон на настройка на дължината на вълната на радиация позволява да се очаква, че този материал може да се конкурира с AgGaS₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂и GaSe кристали, въпреки значителната трудност на процеса на растеж на кристали с големи размери.