Терахерцовите източници винаги са били една от най-важните технологии в областта на THz излъчване. Доказано е, че много начини са функционални за постигане на THz излъчване. Обикновено електрониката и фотоникните технологии.В полето на фотониката генерирането на нелинейна оптична разлика в честотата на базата на нелинейни кристали с голям нелинеен коефициент и висок праг на оптично увреждане е един от начините за получаване на THz вълна с висока мощност, регулируема, преносима и работеща при стайна температура.Най-често се използват нелинейни кристали GaSe и ZnGeP2(ZGP).
Кристалите GaSe с ниска абсорбция при милиметрова и THz вълна, висок праг на повреда и висок втори нелиеарен коефициент (d22 = 54 pm/V) обикновено се използват за обработка на терагерцова вълна в рамките на 40 μm, както и за дълга вълнова лента, регулируема Thz вълна (над 40 μm).Доказана е регулируема THz вълна при 2,60 -39,07μm, когато ъгълът на съвпадение е 11,19°-23,86°[eoo (e - o = o)], и 2,60 -36,68μm изход, когато ъгълът на съвпадение е 12,19°-27,01°[eoe (e - o = e)].Освен това, 42,39-5663,67 μm регулируема THz вълна беше получена, когато ъгълът на съвпадение беше 1,13°-84,71°[oee (o - e = e)].
Кристалите ZnGeP2 (ZGP) с висок нелинеен коефициент, висока топлопроводимост, висок праг на оптично увреждане също са изследвани като отличен източник на THz.ZnGeP2 също има втори нелинеен коефициент при d36 = 75 pm/V), което е 160 пъти повече от KDP кристалите.Ъгълът на съвпадение на фазите от два типа на ZGP кристали (1,03°-10,34°[oee (oe = e)]& 1,04°-10,39°[oeo (oe= e)]) обработва подобен THz изход (43,01 -5663,67μm), Типът oeo се оказа по-добър избор поради по-високия му ефективен нелинеен коефициент.В много дълго време изходната проформа на ZnGeP2 кристали като терагерцов източник беше ограничена, тъй като кристалите ZnGeP2 от други доставчици имат високо поглъщане в близката инфрачервена област (1-2μm): Коефициент на поглъщане >0.7cm-1 @1μm и >0.06 cm-1@2μm.Въпреки това, DIEN TECH предоставя ZGP (Модел: YS-ZGP) кристали със супер ниска абсорбция: Коефициент на абсорбция <0,35cm-1@1μm и <0,02cm-1@2μm.Усъвършенстваните YS-ZGP кристали позволяват на потребителите да постигнат много по-добра производителност.
Справка:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Чин.Phys.Soc.
