GaSe кристал

Галиев селенид (GaSe) нелинеен оптичен монокристал, съчетаващ голям нелинеен коефициент, висок праг на увреждане и широк диапазон на прозрачност.Това е много подходящ материал за SHG в средния инфрачервен диапазон.


  • Обхват на прозрачност:µm 0,62 - 20
  • Точкова група:6м2
  • Параметри на решетката:а = 3.74, с = 15.89 Å
  • Плътност:g/cm3 5,03
  • Твърдост по Моос: 2
  • Индекси на пречупване:при 5,3 µm no= 2,7233, ne= 2,3966
  • Нелинеен коефициент:pm/V d22 = 54
  • Праг на оптично увреждане:MW/cm2 28 (9,3 µm, 150 ns);0,5 (10,6 µm, в CW режим);30 (1,064 µm, 10 ns)
  • Подробности за продукта

    Доклад от теста

    Видео

    Складов списък

    Галиев селенид (GaSe) нелинеен оптичен монокристал, съчетаващ голям нелинеен коефициент, висок праг на увреждане и широк диапазон на прозрачност.GaSe е много подходящ материал за SHG в средния инфрачервен диапазон.DIEN TECHосигуряват GaSe кристал с уникален голям размер и високо качество.

    Свойствата на GaSe за удвояване на честотата са изследвани в диапазона на дължината на вълната между 6,0 µm и 12,0 µm.GaSe е успешно използван за ефективен SHG на CO2 лазер (до 9% преобразуване);за SHG на импулсно излъчване на CO, CO2 и химически DF-лазер (l = 2,36 µm);преобразуване на CO и CO2 лазерно лъчение във видимия диапазон;Генериране на инфрачервени импулси чрез смесване на разлика в честотата на неодимов и инфрачервен лазер с багрило или (F-)-централни лазерни импулси;OPG генериране на светлина в рамките на 3,5–18 µm;генериране на терахерцово (Т-лъчи) лъчение.Невъзможно е да се режат кристали за определени ъгли на съвпадение на фазите поради структурата на материала (разцепване по (001) равнина), ограничаваща областите на приложение.
    GaSe е много мек и слоест кристал.За производството на кристал с определена дебелина вземаме по-дебела начална заготовка, например с дебелина 1-2 мм и след това започваме да отстраняваме слой по слой, опитвайки се да се доближим до поръчаната дебелина, като същевременно поддържаме добра повърхностна гладкост и плоскост.Но при дебелини около 0,2-0,3 mm или по-малко GaSe плочата лесно се огъва и получаваме извита повърхност вместо плоска.
    Така че обикновено оставаме при дебелина от 0,2 mm за 10x10 mm кристал, монтиран в държач с диаметър 1'' с CA отвор с диаметър.9-9,5 мм.
    Понякога приемаме поръчки за кристали от 0,1 мм, но не гарантираме добра плоскост за толкова тънки кристали.
    Приложения на кристали GaSe:
    • Генериране на THz (T-лъчи) радиация;
    • THz обхват: 0.1-4 THz;
    • Ефективен SHG на CO 2 лазер (до 9% преобразуване);
    • За SHG на импулсно CO, CO2 и химично DF-лазерно (l = 2.36 mkm) лъчение;
    • Преобразуване на CO и CO2 лазерното лъчение във видимия диапазон;Генериране на инфрачервени импулси чрез смесване на разлика в честотата на неодимов и инфрачервен лазер с багрило или (F-)-централни лазерни импулси;
    • OPG генериране на светлина в рамките на 3,5 - 18 mkm.
    SHG в средния IR (CO2, CO, химически DF-лазер и др.)
    преобразуване на инфрачервеното лазерно лъчение във видимия диапазон
    Генериране на параметри в рамките на 3 – 20 µm
    Основни свойства на кристалите GaSe:
    Диапазон на прозрачност, µm 0,62 - 20
    Точкова група 6м2
    Параметри на решетката a = 3.74, c = 15.89 Å
    Плътност, g/cm3 5.03
    Твърдост по Моос 2
    Индекси на пречупване:
    при 5,3 µm no= 2,7233, ne= 2,3966
    при 10,6 µm no= 2,6975, ne= 2,3745
    Нелинеен коефициент, pm/V d22 = 54
    Отстъпете 4,1° при 5,3 µm
    Праг на оптично увреждане, MW/cm2 28 (9,3 µm, 150 ns);0,5 (10,6 µm, в CW режим);30 (1,064 µm, 10 ns)

    dc0fb8af2646ed87f8d7ce9919aa1a4bec6c026f842ca4e1755156e33efd49

    Модел Продукт Размер Монтирайте Количество
    DE0553 GaSe φ7*0,6 мм φ25,4 мм 2