Представено изображение на кристали Nd:YAP

Nd: YAP кристали

Химична формула:YAlO3:Nd3+

Кристална структура:D162h

Константа на решетката:a=5,176, b=5,307, c=7,355

Индекс на пречупване:na=1929, nb=1943, nc=1952

dn/dT:na:9,7x10-6 K-1 nc:14,5x10-6 K-1

Плътност:5,35 g/cm3

Точка на топене:1870°C

Специфична топлина:400 J/(kg K)

Топлопроводимост:0,11 W/(cm K)

Термично разширение:9,5 x 10-6 K-1 (ос a) 4,3 x 10-6 K-1 (ос b) 10,8 x 10-6 K-1 (ос c)

Твърдост по Кнуп:977 (ос)

WhatsApp Изпратете имейл до нас Изтеглете като PDF

Подробности за продукта

Основни свойства

Nd:YAP AlO3 перовскит (YAP) е добре известен хост за твърдотелни лазери.Кристалната анизотропия на YAP предлага множество предимства. Тя позволява малка настройка на дължината на вълната чрез промяна на посоката на вълновия вектор в кристала.Освен това изходният лъч е линейно поляризиран.
Предимства на Nd:YAP кристалите:
Сравнима ефективност на прага и наклона при 1079nm с Nd:YAG при 1064nm
По-висока ефективност при 1340nm в сравнение с Nd:YAG при 1319nm
Линейно поляризиран изходен лъч
По-висока абсорбция във вода и телесни течности от 1340nm в сравнение с 1319nm

Химична формула	YAlO3:Nd3+
Кристална структура	D162h
Константа на решетката	a=5,176, b=5,307, c=7,355
Индекс на пречупване	na=1929, nb=1943, nc=1952
dn/dT	na:9,7×10-6 K-1 nc:14,5×10-6 K-1
Плътност	5,35 g/cm3
Точка на топене	1870°C
Специфична топлина	400 J/(kg K)
Топлопроводимост	0,11 W/(cm K)
Термично разширение	9,5 x 10-6 K-1 (ос) 4,3 x 10-6 K-1 (ос b) 10,8 x 10-6 K-1 (ос c)
Твърдост по Кнуп	977 (ос)

Спецификации:

Концентрация на добавката	Nd 0,7-0,9 at% за cwat импулс t 1079nm 0,85~0,95 at% за cwat 1340nm Други концентрации на добавка са налични при поискване.
Ориентация	в рамките на 5°
Размери на пръчките	Диаметър 2~10mn Дължина 20~150mm При заявка на клиентаr
Допустими отклонения на размерите	Диаметър +0,00/-0,05 мм, Дължина: ± 0,5 мм
Завършек на цевта	Шлифована и полирана
Паралелизъм	≤10″
Перпендикулярност	≤5′
Плоскост	< λ/10 @632.8nm
Качество на повърхността	10-5 (MIL-0-13830B)
фаска	0,15±0,05 мм
Отразяемост на AR покритие	< 0,25% (@W64nm)